DDR2 與 DDR 的區別：
      在了解 DDR2 內存諸多新技術前，先讓我們看一組 DDR 和 DDR2 技術對比的數據。
      1、延遲問題：
       從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2 的實際工作頻 率是 DDR 的兩倍。這得益于 DDR2 內存擁有兩倍于標準 DDR
內存的 4BIT 預讀取能力。換句話說，雖然 DDR2 和 DDR 一樣， 都采用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方
式，但 DDR2 擁有兩倍于 DDR 的預讀取系統命令數據的能力。 也就是說，在同樣 100MHz 的工作頻率下，DDR 的實際頻率為
200MHz，而 DDR2 則可以達到 400MHz。
      這樣也就出現了另一個問題：在同等工作頻率的 DDR 和 DDR2 內存中，后者的內存延時要慢于前者。舉例來說，DDR200
和 DDR2-400 具有相同的延遲，而后者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400 和 DDR400 具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s ， 但 是  DDR400  的 核 心 工 作 頻 率 是  200MHz ， 而 DDR2-400 的核心工作頻率是 100MHz，也就是說 DDR2-400 的延遲要高于 DDR400。

    2、封裝和發熱量：
        DDR2 內存技術最大的突破點其實不在于用戶們所認為的兩 倍于 DDR 的傳輸能力，而是在采用更低發熱量、更低功耗的情 況下，DDR2 可以獲得更快的頻率提升，突破標準 DDR 的 400MHZ 限制。
        DDR 內存通常采用 TSOP 芯片封裝形式，這種封裝形式可以 很好的工作在 200MHz 上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是 DDR 的核心頻率很難突破 275MHZ 的原因。而DDR2 內存均采用 FBGA 封裝形式。不同于目前廣泛應用的TSOP 封裝形式，FBGA 封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為 DDR2 內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。
       DDR2 內存采用 1.8V 電壓，相對于 DDR 標準的 2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量，這一
點的變化是意義重大的。

      DDR2 采用的新技術：
      除了以上所說的區別外，DDR2 還引入了三項新的技術，它 們是 OCD、ODT 和 Post CAS。
      OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II 通過 OCD 可以提高信號的完整性。DDRII 通過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用 OCD 通過減少 DQ-DQS 的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質。
       ODT：ODT 是內建核心的終結電阻器。我們知道 使用 DDR，SDRAM 的主板上面為了防止數據線終端反射信號 需要大量的終結電阻。它大大增加了主板的制造成本。實際上，不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率，終結電阻小則數據線信號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則數據線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結電阻并不能非常好的匹配內存模組，還會在一定程度上影響信號品質。DDR2 可以根據自已的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用 DDR2 不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質，這是 DDR 不能比擬的。

        Post CAS：它是為了提高 DDR II 內存的利用效率而設定的。在 PostCAS 操作中，CAS 信號（讀寫/命令）能夠被插到RAS 信號后面的一個時鐘周期，CAS 命令可以在附加延遲 （Additive Latency）后面保持有效。原來的 tRCD（RAS 到CAS 和延遲）被 AL（Additive Latency）所取代，AL 可以在 0，1，2，3，4 中進 行設置。由于 CAS 信號放在了 RAS 信號后面一個時鐘周期，因此 ACT 和 CAS 信號永遠也不會產生碰撞沖突。